Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich

Buch | Softcover
XIII, 249 Seiten
2014
KIT Scientific Publishing (Verlag)
978-3-7315-0161-9 (ISBN)

Lese- und Medienproben

Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich - Sebastian Diebold
41,00 inkl. MwSt
Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den Frequenzbereich von 200 bis über 250 GHz. Dafür sind verlässliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz bestätigt. Es wird ein Verstärkerkonzept erarbeitet, das maßgeschneidert für den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verstärker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung ermöglicht.
Erscheint lt. Verlag 12.3.2014
Reihe/Serie Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik ; 73
Zusatzinfo graph. Darst.
Sprache deutsch
Maße 148 x 210 mm
Gewicht 410 g
Einbandart Paperback
Themenwelt Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Technik Nachrichtentechnik
Schlagworte 3-5 • coplanar waveguide • FET millimeterwave • FET millimeterwave • FET§§§millimeterwave • HEMT • III-V semiconductor • koplanarer Wellenleiter • Leistungsverstärker • mHEMT • microstrip transmission line • Mikrostreifenleitung • Millimeterwelle • Millimetre-wave • MMIC • monolithic integrated • Power Amplifier • Terahertz • Verbindungshalbleiter
ISBN-10 3-7315-0161-9 / 3731501619
ISBN-13 978-3-7315-0161-9 / 9783731501619
Zustand Neuware
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