Störstellen in Galliumnitrid-basierenden Transistoren
Seiten
2004
Forschungszentrum Jülich (Verlag)
978-3-89336-361-2 (ISBN)
Forschungszentrum Jülich (Verlag)
978-3-89336-361-2 (ISBN)
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- 7
Reihe/Serie | Schriften des Forschungszentrums Jülich - Informationstechnik /Information Technology ; 7 |
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Sprache | deutsch |
Original-Titel | Einfluss der Schichteigenschaften auf das elektrische und optoelektrische Verhalten von AlGaN / GaN HEMT Transistoren |
Maße | 240 x 170 mm |
Einbandart | Paperback |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik • HC/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik |
ISBN-10 | 3-89336-361-0 / 3893363610 |
ISBN-13 | 978-3-89336-361-2 / 9783893363612 |
Zustand | Neuware |
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